2月3日消息，据媒体报道，三星电子与SK海力士针对尖端NAND领域的投资项目即将全面铺开。
此前，因为资源长期优先投入DRAM领域，相关计划多次被延迟。随着人工智能产业推动存储需求迅速增长，这两家公司最近已经着手确定具体的扩产方案。
业内消息显示，三星和SK海力士都打算在今年第二季度推进最尖端NAND的“转换投资”。
三星在2024年9月就已经开始280层V9 NAND的量产工作，不过现阶段该产品的产能还比较有限，每月大概只能生产1.5万片晶圆。之前因为要结合市场需求情况，三星只在平泽园区搭建了初期的量产生产线。
接下来，三星计划从今年第二季度开始扩大V9的产能，重点会放在中国西安的X2产线。当前这条产线依旧主要生产第6到第7代的旧款NAND，而相邻的X1产线向第8代NAND的转换工作已经大致完成。
据了解，目前行业内所探讨的转换投资对应的晶圆月产能规模大约在4至5万片。随着相关设备的陆续引入，V9 NAND有望自明年开始正式步入量产加速的阶段。
半导体行业相关人士透露，三星原本计划于第一季度启动西安X2产线的V9转换工作，但目前该日程已推迟至第二季度。与此同时，平泽第一园区（P1）也在积极筹备相关投资事宜。据预计，明年V9产品在生产中的占比将得到显著提升。
SK海力士也在大力推动先进NAND的产能扩充。该公司打算在今年第二季度开启321层第9代NAND的转换投资，期望在清州M15工厂达成每月约3万片晶圆的V9产能规模。和当前每月约2万片晶圆的产能水平相比，这次的产能提升幅度相当明显。
行业观察显示，三星和SK海力士都在为先进NAND需求的持续增长提前进行布局。此前这两家企业的设备投资几乎都集中在DRAM领域，而当下NAND市场也已显现出供应紧张的态势。
