2月3日消息，在全球存储芯片供应极度紧缺的形势下，中国两家存储行业巨头正加快扩张步伐，力求抢占市场先机。
据日经亚洲报道，中国的两大头部存储芯片制造商——长鑫存储与长江存储，已开启史上最大规模的扩产计划，旨在缩小与三星、SK海力士等国际行业龙头之间的差距。
报道显示，作为中国规模最大的DRAM制造商，长鑫存储目前正在上海推进新工厂的建设工作，该工厂投产后所带来的新增产能，预计将达到其合肥总部基地现有产能的两到三倍。
该厂拟定于2026年下半年开展设备安装工作，2027年实现正式投产，所生产的产品将涵盖服务器、PC、汽车电子等多个领域；与此同时，公司也在上海推进HBM生产线的扩建项目，以满足AI算力方面的需求。
有知情人士透露，长鑫存储位于合肥与北京的两座工厂目前均已进入满负荷生产状态。该人士还提到，“国内企业的相关需求十分强劲，公司正计划加快产能扩张的步伐。”
中国头部NAND厂商长江存储同样在武汉推进第三座工厂的建设，该工厂预计2027年实现投产。
有消息透露，长江存储已确定新工厂的产能规划，除了生产NAND之外，50%的产能将用于DRAM的制造；与此同时，该公司还会和本土的存储封装企业展开合作，针对人工智能计算场景研发并生产HBM。
