12月9日消息，Trendforce报道称，SK海力士已确认计划在2027年初实现第十代V10 NAND闪存的量产，该产品的核心技术突破点在于首次运用了300层以上的堆叠架构，并且集成了混合键合技术（Hybrid Bonding）。
这项技术的实现方式是，先分别制造存储阵列晶圆和外围电路晶圆，之后再对二者进行垂直键合，以此构成一个单一的高性能单元。通过这种方式，产品良率、数据传输效率以及生产效益都得到了显著的提升。
此举打破了行业对技术路线的原有预期——在此之前，业界大多认为混合键合技术要到芯片堆叠达到400层的阶段才会投入使用。
SK海力士决定在300层节点阶段提前推进商业化落地，目的是加快巩固存储技术的领先地位，以满足AI和数据中心市场对高密度闪存日益迫切的需求。
同步披露的产能情况显示，在企业级固态硬盘（eSSD）需求大幅增长的推动下，其第九代NAND闪存生产线已接近满负荷运转。SK海力士正主动加大现有产品的供应力度，以支撑下一代技术量产前的市场过渡阶段。
