11月14日消息，据媒体报道，三星和SK海力士已将研发重点瞄准更先进的HBM4E，正加快相关布局以备战下一代高端存储领域的竞争。随着新一代AI加速器首次采用基于HBM4的定制化设计方案，HBM在增强设备性能与减少数据延迟上的重要性日益凸显。
进入HBM4E阶段后，产业有望进一步从标准化产品转向定制化解决方案，核心部件将按客户需求进行专门设计。这一转变预计将成为影响供应商市场竞争格局的关键因素。
目前，三星和SK海力士都打算在2026年上半年完成HBM4E的开发工作。考虑到配备这种内存的AI加速器预计会在2027年推出，两家企业需要在2026年下半年完成质量方面的验证，所以正在全力加快研发的进度，保证产品能够按照计划推进。
在定制化HBM设计过程中，基础裸片能够依据客户的特定需求开展设计与制造工作。这无疑对DRAM厂商的设计能力以及生产工艺水准提出了更为严苛的要求，只有那些拥有快速响应能力的企业，才能够在该领域抢占发展先机。
从HBM4起，三星就采用自家代工来生产基础裸片，这说不定是其竞争优势的根基所在。SK海力士尽管也转向了代工模式，不过是选择和台积电合作一同开发HBM产品。至于美光，由于成本方面的考量，在HBM4阶段依旧使用DRAM工艺生产基础裸片，打算等到HBM4E阶段再转由台积电代工。
有分析认为，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主流产品，预计到2027年将占据约40%的市场份额。
